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元坤智造 宇航芯片 抗辐射64Kbt1256Kbit可重复编程存储器 YK28C64RH
121 发布时间:2020-10-19 10:29:17

抗辐射64Kbt1256Kbit可重复编程存储器电路YK28C64RH/YK28C256RH是在5V工作条件下,可重复编程、擦除使用的存储器,并能实现数据存储后的读取功能。

当片选为低电平,且编程使能为高电平时,若输出使能信号为低电平,数据被读出,并被输出到8位I/0端口,若读操作时输出使能信号为高电平,I/O端口为高阻态。

主要特点

◎ 工作电压:5V±10%                                                      

◎ 抗辐射指标:总剂量:100K Rad (Si)

                        单粒子闩锁阈值:75Mev-/mg

                       单粒子翻转阈值:37MeV-/mg

◎ 读写时间:60ns                                                                             

◎ 三态双向数据总线                                                              

◎ 专用编程器编程                                                 

◎ 封装形式: CDIP28 (YK28C64RH/YK28C256RH)

                     CFP28(YK28C256RH)

◎ ESD等级:2000v                        

产品型号

类型

容量

(bit)

读取时间

(ns)

工作电压

(V)

输入电平

封装形式

兼容型号

*YK28C64RH

FLASH

64K

65

5

TTL

CDIP28

--


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