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近日,终于传来了国产内存投产的好消息:专注国产内存的合肥长鑫,已正式投片8Gb
LPDDR4规格的DRAM芯片。并且有最新消息显示:2019年开始,内地将有三家存储芯片厂竣工并投入量产内存、闪存。
内存条与SSD的疯狂涨价“得益于”原料产能的不足,也就是NAND闪存颗粒的产能不足。要知道在闪存领域,掌握了闪存颗粒几乎可以说就掌控了闪存市场(包括内存条、SSD、储存卡等)。
而全球的几家大厂如:三星、东芝、英特尔、海力士、美光、闪迪等都以工艺升级为涨价接口,声称他们正在用3D NAND闪存颗粒替代2D NAND闪存颗粒,而工艺的升级必然导致产能跟不上,其结果就是闪存颗粒涨价,内存产品价格飙升。
来自台湾电子时报报道称:2019年,中国大陆地区将有三家存储芯片厂竣工并投入量产。目前,长江存储正在准备的第一个订单是,生产8GB容量的SD存储卡,订单规模为一万套32层3D NAND闪存芯片。
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其中,长江存储正在研发64层的3D NAND闪存,计划在2018年年底前推出样品,目前已经开始8Gb LPDDR4内存芯片的试生产;而晋华公司和合肥长鑫主要负责DRAM内存芯片的制造,预计明年量产19nm技术生产的8Gb DDR4内存芯片。
存储是个技术活,国内产商能推出32层堆栈的3D NAND闪存颗粒已经迈出了很大一步了,虽然与与国际一线大厂还有一定的差距,但这个差距也在逐步缩小。
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