据三星呈交南韩官方资料显示,用于储存手机资料的闪存需求不断增加,三星董事会因而决议扩增闪存能。对此业者认为,闪存市场大饼本已愈作愈大,明年供应商如继续加大投资,市场将难避免价格战的阴影。
经历过去年获利大增长的闪存市场,在今年原有供货商过度扩充产能及抢夺市占率的高度竞争下,价格由年初跌到年底,毛利率也由天上摔到地上,到年底时部分产品的价格甚至已接近成本。在此降价潮下,业者表示明年DRAM厂开始跨足NAND及NOR市场后,为争抢市场份额,笼罩在供过于求阴影下的NAND市场,价格战很可能是一触即发。
而观察今年一年的闪存市况,之所以会出现大幅跌价趋势,业者分析主要原因之一就是DRAM厂商的多产品策略,积极介入非DRAM的闪存市场。以NAND芯片为例,去年主要供货商仅三星、东芝二大厂,就算不断扩产还是维持高价格、高毛利率,但今年随着美光、英飞凌、Hynix等开始介入,NAND芯片价格也开始出现暴涨暴跌的变化。
展望明年,NAND闪存市场仍有陷入供给过剩泥沼的可能。由于原本各自为政的NAND 或NOR供应业者,开始互相介入对方领域,目前NAND和DRAM市场都显得相当混乱。预计在供应过剩及价格战阴影的双重压力下,明年闪存芯片是否精彩可期仍是个值得疑惑的问题。
京ICP备 06008810号-14 | 京公网安备11010802020395号 |