美国IBM日前面向32nm级工艺试制成功了内存单元面积仅为0.143μm2的6晶体管型的SRAM(IBM的发布资料)。采用氧化膜厚度为25nm的SOI(绝缘体上硅)底板。据IBM称,虽然此前台湾TSMC(台积电)曾在2004年6月公布的0.296μm2为全球最小记录,但此次相对这一记录减少了30%、实现了“全球最小的内存单元面积”(IBM)。该技术已在2004年12月13日于美国旧金山召开的元器件技术国际会议“IEDM 2004(2004年国际电子器件会议)”上发表。演讲序号为11.1。
试制成功的内存单元尺寸为0.27μm×0.53μm。+1.0V运行时的静态噪音容许度(SNM)为148mV。硅化物(Silicide)层采用了二氧化钴(CoSi2)。原来采用的镍硅(NiSi)等硅化物材料不适用于较薄的SOI底板及间隔狭窄的隔离层。触点(Contact)采用钽(Ta),间隔为50nm。导通状态下的泄漏电流,与此前采用较厚的二氧化钴层,以及间隔为60nm的隔离层时相同。硅化物层的薄膜化及沟道(Trench)结构的形成方面,采用了波长为248nm的曝光技术和基于电子光束的曝光技术。
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