据港台媒体报道 AMD与IBM共同宣布，已突破应变型硅晶(strained silicon)漏电问题，可在相同耗电量上一举提升晶体管效能24%，显示其下一代双核心及多核心架构处理器技术优势。与此同时，英特尔决定将2006年双核心处理器在桌上型计算机(DT)市场出货比重，由原先目标40%调高到70%。

　　AMD表示，此一新技术可在相同耗电量下，提升晶体管效能达24%，最快2005年上半就会应用在90纳米工艺的Athlon64处理器中，2005年中旬推出的双核心Opteron处理器也会采用此技术，并逐渐整合至全线90纳米工艺产品；至于IBM方面，也会在Power系列处理器导入这一新技术。

　　由于半导体工艺已经进入90纳米以下时代，晶体管愈做愈小，厂商也面临漏电、效能等棘手问题，因而纷纷寻求SOI及应变型硅晶等新兴材料，作为解决之道。AMD与IBM近期也开始研究整合SOI及应变型硅晶材料的新技术，并已取得突破进展，透过新的制造技术，不但可缩小所产出晶体管面积，并可提升性能及减少耗电。

　　结合应变型硅晶与绝缘层上覆硅(silicon-on-insulator；SOI)工艺技术，可望提高晶体管效能达24％，AMD与IBM这项重大突破，在技术进程上明显较英特尔快了一步。SOI技术由IBM所研发成功，其在硅芯片添增氧化物绝缘层，以降低电源|稳压器消耗，减少电流流失，并加快IC处理速度；AMD的90纳米SOI工艺技术，便是与IBM共同合作开发，目前采用90纳米SOI应变型硅晶工艺的Opteron及Athlon64处理器，已开始小量供货。

　　与AMD和IBM相比，英特尔在这方面稍显落后，但在2004年也明显加速了步伐。此前，该公司曾宣布取消包括LCOS芯片等产品开发计划，以全力冲刺双核心处理器开发。

　　目前AMD的双核心产品已进入试产阶段，英特尔则是在日前的Analyst Day中，向投资人动态展示Smithfield及Yonah这2款DT及NB版的双核心产品，并称要加快开发步伐，将双核心处理器上市时间由2006年提前至2005年中旬左右全面上市。

　　此外，英特尔也面临对手产能布局的竞争压力，AMD与IBM合作层次除工艺技术不断演进外，2005年中也将开始在德国Dresden的Fab36 12吋晶圆厂，导入65纳米工艺，进度与英特尔65纳米工艺脚步差不多，依照AMD的规划，已在2004年5月新厂落成剪彩的Fab36，2005年中即会开始装机试转，2006年上半完成65纳米工艺的商业化生产运转。

　　为配合新厂落成，AMD也与新加坡特许(Chartered)签订Athlon64处理器代工合作协议，2006年起将正式释出64位的Athlon64处理器代工订单给特许，因此，2006年起AMD的整体产能在IBM的扶助下，将会出现大幅度跃进。这也使得英特尔将2006年DT双核心处理器产出比重目标，由40％提升到70％，以便在AMD新一代产能全开以前，在市场上取得领先优势。

　　部分主板公司表示，DT市场短期内对于双核心架构需求并不大，但以英特尔目前展示的Smithfield样本，对于系统的散热能力要求极高，尽管英特尔方面保证产品上市时将有所改善，不过，双核心CPU的散热问题俨然已超越性能提升幅度，将成为下游PC厂商最关心的事。